近日，拓諾稀科技成功完成了其天使輪融資，獲得數(shù)百萬人民幣的投資，此輪融資由力合科創(chuàng)主導投資。

這筆資金將主要用于購置先進的生產(chǎn)設備，提高公司在金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）和霧化化學氣相沉積（mist-CVD）技術路線上的生產(chǎn)能力，以應對市場上快速增加的需求。

作為一家專注于氧化鎵外延薄膜制備及高性能半導體器件研發(fā)的企業(yè)，拓諾稀科技在非晶氧化鎵薄膜技術和離子注入設備領域持有關鍵專利。在全球電子信息行業(yè)迅猛發(fā)展的大環(huán)境下，第三代與第四代半導體材料的革新正成為國際競爭的熱點。氧化鎵，作為一種擁有極寬禁帶特性的半導體材料，在高壓電力電子、射頻通信以及光電檢測等多個領域展示出廣泛的應用前景。由于其出色的擊穿電場強度和熱導率，氧化鎵在高功率與高頻應用場景中表現(xiàn)出了顯著的技術優(yōu)勢，成為新一代半導體材料研究的重點之一。

盡管如此，全球對于氧化鎵外延材料及其器件的研發(fā)仍處于初級階段，中國在這一領域面臨較大的技術缺口。針對這一現(xiàn)狀，拓諾稀科技致力于通過自身在氧化鎵外延薄膜制備及高性能半導體器件開發(fā)方面的專長，努力填補國內(nèi)技術空白，目標是發(fā)展成為國際領先的氧化鎵半導體器件供應商，促進功率電子和光電檢測等行業(yè)技術的發(fā)展。

力合科創(chuàng)創(chuàng)新部成果轉化項目負責人張恒嘉指出，拓諾稀科技所關注的第四代半導體——氧化鎵外延生長，屬于基礎材料的創(chuàng)新范疇。面對全球半導體產(chǎn)業(yè)升級和本土化替代的緊迫需求，該公司的研發(fā)方向不僅具有重要的戰(zhàn)略價值，而且其在P型摻雜技術上取得的突破性進展解決了國際上的一個重大難題，對于高性能半導體器件的設計與制造提供了新的可能性。